在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場(chǎng)的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應產(chǎn)物沉積在工件上。

PVD真空鍍層按照膜層應用來(lái)分類(lèi)可分為裝飾膜層和硬質(zhì)膜層：

裝飾膜層可以改善工件外觀(guān)裝飾性能和色澤同時(shí)使工件更耐磨耐腐蝕；硬質(zhì)膜層用于提高工件的表面硬度和耐磨性，降低表面的摩擦系數，提高工件的使用壽命。

濺射技術(shù):

濺射技術(shù)按產(chǎn)生等離子體的方式可分為:

a. 利用直流輝光放電的二極濺射;

b. 利用熱絲弧光放電的三極濺射;

c. 利用射頻放電的射頻濺射;

d. 利用封閉跑道磁場(chǎng)控制輝光放電的磁控濺射.

2 磁控濺射陰極結構:

目前工業(yè)用磁控濺射裝置主要是采用矩形平面磁控濺射陰極(圖a),一般使用的靶材尺寸有兩種規格: VT機:長(cháng)×寬×厚(450.5×120×6)mm; ZCK機: 460×100×6.圓柱形磁控濺射陰極也逐步運用到生產(chǎn)當中(圖b),兩者相比,平面靶材的利用率只有20~30%,即利用率低.

靶材承受的功率密度是有限的.靶面溫度過(guò)高會(huì )導致靶材熔化或引起弧光放電.在直接水冷的情況下,金屬靶材的靶功率密度允許值為10~30W/cm2.根據選定的靶電壓和允許的靶功率密度,即可確定靶電流密度.

降低Ar壓強有利于提高鍍膜速率,還有利于提高膜層結合力和膜層致密度.磁控濺射的Ar壓強通常選為0.5Pa,氣體放電的阻抗隨Ar壓強的降低而升高.磁控濺射時(shí),可以適當調節Ar壓強,